买卖IC网 >> 产品目录 >> BLS6G2731-120 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

BLS6G2731-120

库存数量：可订货
制造商：NXP Semiconductors
描述：射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> 射频MOSFET电源晶体管
描述 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
制造商 NXP Semiconductors
配置 Single
晶体管极性 N-Channel
频率
增益
输出功率
汲极/源极击穿电压 60 V
漏极连续电流 33 A
闸/源击穿电压 13 V
最大工作温度 + 150 C
封装 / 箱体 SOT502B
封装 Tube
相关资料
属性
链接
代理商 BLS6G2731-120
BLS6G2731-120,112
BLS6G2731-6G
BLS6G2731-6G,112
BLS6G2731P-200,117
BLS6G2731S-120
供应商
公司名
电话
深圳市海天鸿电子科技有限公司 0755-82552857-809 彭小姐、刘先生、李小姐
深圳廊盛科技有限公司 18229386512 李小姐
深圳廊盛科技有限公司 18682365538 严艺浦
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北京耐芯威科技有限公司 010-62962871 刘先生
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深圳市悦兴晨电子科技有限公司 ０７５５-８２８１２００４82811605 朱先生
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深圳市粤科源兴科技有限公司 13392885468 谢先生
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